由于加工精度更复杂的净化过程，使温度波动范围的要求越来越小。例如，在大规模集成电路的生产的光刻曝光过程中，掩模材料是玻璃和硅的热膨胀系数之间的差异越来越小的要求。直径为100微米的硅晶片的温度上升到一个程度，铝材就引起了0.24um的线性膨胀，因此必须有一个恒定的温度的±0.1度，而需要的湿度值通常较低，因为人汗后的产品将有污染，尤其是他们害怕钠半导体厂，这家工厂应该不会超过25度。

　 　高湿度产生更多的问题。当相对湿度超过55%时，冷凝管内壁将是，如果有一个精确的设备或电路，可引起各种事故。相对湿度在50%的防锈。此外，高湿度的空气中时，水通过在晶片表面粘附分子化学吸附在表面上的灰尘电阻难以去除。相对湿度越高，附着除去，如果相对湿度低于30%时，很容易吸附在粒子表面上的静电的影响的难度，同时大量容易发生击穿的半导体器件。对于晶圆生产35-45%的最佳温度范围内。

　 　在净化铝材室中要求的压力：

　　 对于大多数的洁净室中，为了防止从外界污染，需要保持的内部压力(静压)高于外界的压力(静压)。要保持压力差应符合下列一般原则：

　 　1、干净的空间压力高于非洁净空间的压力。

　 　2、高水平的清洁高于相邻的空间中的压力水平低的洁净度的空间中的压力。

　 　3、相似之处洁净室的开门，高水平的房间的清洁度。

　 　依赖于新鲜的空气，保持的压力差，新鲜空气可以从该间隙泄漏出风的压力差，以补偿。